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パワースイッチレス機材やビンテージオーディオ機材へのダメージを軽減し、長寿命に貢献します。
主要回路構成は電源ラインに対し双方向の導通を持つよう、パワーMOS FETをドレイン/ソース-ソース/ドレインにて接続配置。
制御端子となるゲートに対しバイアス電圧をゆっくり上昇させ、パワーMOS FETのドレイン-ソース間の抵抗値を徐々に低下させることで突入電流の抑制を図っています。
ゲートバイアス電圧が低い時、ドレイン-ソース間はインピーダンスが高く供給電流が抑制されます。
バイアス電圧の上昇に伴いドレイン-ソース間のインピーダンスは低くなり、供給電流が増加して行きます。
最終的に、ゲートバイアス電圧はパワーMOS FETが十分にオン状態となるレベルに達します。
大電流に対応するためパワーMOS FETは5並列10個使用されており、電源ラインのロスはパワースイッチやパワーリレーの接点抵抗以下でほとんど発生しません。
/Crystal L1Pを構成するボディは、TOPカバー/BOTTOMシャーシ/サブシャーシの3パーツで構成。
インレット、コンセント、基板に至る全てのパーツをサブシャーシに搭載し、外装ケース(TOPカバー、BOTTOMシャーシ)から独立(宙吊り)させることで、電源タップに影響をおよぼす外部からの不要振動を減衰します。
TOPカバーとサブシャーシの結合部には、従来チタン製スペーサを採用していましたが、Crystal L1Pには超低周波から超音波領域まで減衰可能な制振合金:M2052
※1スペーサ(非磁性体)を採用し、不要振動の減衰をより高次元なものにしています。
更にM.I.S.をより効果的なものにするため、大型のコンセントプラグやインレットプラグが挿入された場合でも、外装ケースにプラグが触れないよう適切な距離感を保って各パーツがマウントされています。
/3つのパーツから構成されるボディは、Force barシリーズに対し、TOPカバーをスチールからアルミへ、BOTTOMシャーシ、サブシャーシはアルミからスチールに変更されています。
加えて床(設置面)からの振動の影響を直接受けるBOTTOMシャーシは、前述の素材変更のみならず、厚さが1.6mmから2.0mmに強化されている他、振動吸収シートを内外ゴム製ハネナイトからTAOC製振動吸収シートに変更しています。
これらはM.I.S.による振動抑制効果を更に向上させると共に、ボディ全体の剛性を高め、セッティング時の安定感と高音質化に大きく貢献しています。
/電源ラインの配線素材は表皮効果を積極的に活用した単線素材を継承しつつ、4N無酸素銅から錫メッキ1.6mmに変更されています。
Crystal L1Pは主回路がSoft Start回路となっており、突入防止抵抗の役割を担うパワーMOS FETがずらりと並んでいます。
また同デバイスは突入抑制ののち単なる導体(線材)として機能する必要があり、横一線の配置とすることでパターンアートワーク(引き回し)による抵抗損を極限に抑えています。
更に突入抑制時の発熱を効率よく分散するため、パワーMOS FETはサブシャーシ(ヒートシンク兼用)に等間隔で配置されています。
信号系の配線もまたM.I.S.によるサブシャーシの独立性(宙吊り)を保つため、外装ケース(TOPカバー、BOTTOMシャーシ)に触れないよう配慮されています。
各パーツのハンダ付けは特殊成分配合されたものを吟味、選別して使用されており、自社特選マイスターが熟練した技術で作業にあたっています。
/Crystal L1Pには実にユニークな連結機能(連結コンセント)が搭載されています。
Crystal L1Pのコンセントは1口となっていますが、連結コンセントを通じCrystal 3.1やCrystal 6.1と連結することでコンセント数の増加が可能になります。
Crystal 3.1やCrystal 6.1にソフトスタート機能はありませんが、上述の連結手法はCrystal L1Pが保有するソフトスタート機能をそのまま受けることができ、突入を抑制、回避したい機器が複数台におよんでいる場合などに有効な連結方法となります。
また、Crystal L1Pのインレットに同様の連結機能を利用しCrystal C1Pを接続すれば、今度はCrystal L1PがCrystal C1Pの保有する機能(サージアブソーバ/ノイズフィルタ)恩恵を受けることが可能になります。
Crystal L1Pの出力はサージアブソーバ⇒ノイズフィルタ⇒ソフトスタータの複合機能を持って電力供給され、電源ノイズによる音質への悪影響も強力にサポートしてくれます。
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